Direct Au–Au bonding technology for high performance GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS
ISSN
0306-8919
EISSN
1572-817X
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
4
Strony od-do
893-899
Numer tomu
47
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
GaAs/AlGaAs quantum cascade laser; Mounting technology; Die-bonding; Packaging; Scanning accustic microscopy
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
In this paper we investigate chip bonding technology of GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Its results have strong influence on final performance of devices and are essential for achieving room temperature operation. Various solders were investigated and compared in terms of their thermal resistance and induced stress. The spatially resolved photoluminescence technique has been applied for a device thermal analysis. The soldering quality was also investigated by means of a scanning acoustic microscopy. The particular attention has been paid to Au-Au die bonding, which seems to be a promising alternative to the choice between hard and soft solder bonding of GaAs/AlGaAs QCLs operating from cryogenic temperatures up to room temperatures. A good quality direct Au-Au bonding was achieved for bonding parameters comparable with the ones typical for AuSn eutectic bonding process. High performance room temperature operation of GaAs/AlGaAs QCLs has been achieved with the state-of-the-art parameters.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
561981
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych