Design and fabrication of highly dispersive semiconductor double-chirped mirrors
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS
ISSN
0946-2171
EISSN
1432-0649
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
1
Strony od-do
141-146
Numer tomu
116
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 4
Słowa kluczowe
en
SATURABLE ABSORBER MIRRORS; FEMTOSECOND LASERS; POWER
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
We report on the development of semiconductor double-chirped mirrors with the group delay dispersion of -3,800 +/- A 100 fs(2) in the wavelength range between 1,058 A center dot 1,064 nm and reflectivity of 99.1 %. The simplified plane-wave reflection transfer method was used to design the mirror multilayer stack. The mirror contains an epitaxial AlAs/GaAs structure topped with a SiNx antireflective layer.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
454776
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych