A passively mode-locked, self-starting femtosecond Yb:KYW laser with a single highly dispersive semiconductor double-chirped mirror for dispersion compensation
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
LASER PHYSICS LETTERS
ISSN
1612-2011
EISSN
1612-202X
Wydawca
IOP Publishing
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
8
Strony od-do
085302-085305
Numer tomu
10
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 3
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
We demonstrate a semiconductor double-chirped mirror consisting of an AlAs/GaAs multilayer stack grown by molecular beam epitaxy. The mirror has a high negative group velocity dispersion of −2450 ± 100 fs2 and a reflectivity exceeding 98.9% over the spectral range spanning ±4 nm around 1035 nm. When used to compensate the cavity dispersion in a diode-pumped femtosecond Yb:KY(WO4)2 oscillator, at 490 mW of the absorbed pump power, the laser delivered 110 mW in pulses of 240 fs duration.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
444865
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych