Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Acta Physica Polonica A
ISSN
0587-4246
EISSN
1898-794X
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
1
Strony od-do
150-152
Numer tomu
129
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
HIGH-MOBILITY; SEMICONDUCTORS; TRANSISTORS
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
Zn-O-N thin films fabricated by reactive radio frequency magnetron sputtering have been investigated for their compositional, structural, transport and optical properties. In contrast to processes in which the reaction for either the oxide or the nitride is dominant, the multireaction process yields a substantially amorphous films with the Hall mobility within the range from 15 to 80 cm(2)/(V s). In addition, it has been observed that the Hall mobility increases for Zn-O-N. Since it has a narrower bandgap than ZnO, it is put forward that the high mobility is due to the valence band maximum in this material lying above the trap states in the gap commonly observable in ZnO. These traps originate from oxygen vacancies and are localized at the bottom of the band gap influencing the carrier mobility.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-573c428ec2dca0e3b3f22cdc
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych