Influence of Charge Region on the Operation of InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiodes
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
OPTICA APPLICATA
ISSN
0078-5466
EISSN
1899-7015
Wydawca
TECHNICAL UNIV WROCLAW
DOI
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
1
Strony od-do
39-46
Numer tomu
XLIII
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
avalanche photodiode, device modeling, InGaAs
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
Avalanche photodiodes (APDs) operating at 1.55 μm wavelength are used in many different applications. Therefore, specialized devices with modified electrical characteristics are often strongly needed. In order to design and produce such structures, advanced modeling techniques and computer aided design (CAD) software are utilized. In the paper, modeling results of avalanche photodiodes with separated regions of absorption, grading, charge and multiplication (SAGCM) are presented. Simulations of diode structures were performed using APSYS software developed by Crosslight. Extensive calculations allowed for the detailed analysis of individual regions of the device and the determination of their influence on diode characteristics. Simulations showed a pronounced influence of the charge region on characteristics and performance of the device. Changes of the doping level of this layer exhibited strong modification in the band-to-band tunneling effect. Simultaneously it influenced the characteristics related to the Zener effect and carrier transport.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
567141
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych