Amorphous Ni-Zr Layer Applied for Microstructure Improvement of Ni-Based Ohmic Contacts to SiC
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials
ISSN
0921-5107
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
42-47
Numer tomu
199
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Ohmic contact; Silicon carbide; Nickel suicides; Microstructure; Diffusion barrier; Zirconium; TEMPERATURE; RESISTANCE
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
he new approach to fabrication process of nickel-based ohmic contacts to silicon carbide (SiC) is presented. During the first annealing step (300 degrees C), the amorphous Ni-Zr layer retards diffusion between two nickel suicide layers, thus handling the contradictory requirements for optimal Ni:Si ratio. Different stoichiometry obtained in each silicide layer allows to preserve smooth interface with SiC and simultaneously to avoid relatively easily meltable Si-rich Ni-Si phases during high temperature annealing (1000 degrees C) and therefore prevents morphology degradation. After annealing at 1000 degrees C only one final nickel suicide layer is present and Zr atoms are agglomerated at its surface. Morphology of the final suicide layer is substantially improved when compared to typical Ni-based contacts obtained by similar high-temperature annealings. The improved microstructure of the ohmic contact is a promising advantage in terms of SiC devices reliability.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
580361
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych