Comprehensive Analysis of New Near-Infrared Avalanche Photodiode Structure
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Remote Sensing
ISSN
1931-3195
EISSN
Wydawca
SPIE-SOC PHOTOPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
084999-1-8
Numer tomu
8
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
separated absorption, grading, charge, and multiplication avalanche photodiode; near-infrared detectors; simulations; InGaAs
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
The essential steps in simulations of modern separate absorption, grading, charge, and multiplication avalanche photodiode and their results are discussed. All simulations were performed using two commercial technology computer-aided design type software packages, namely Silvaco ATLAS and Crosslight APSYS. Comparison between those two frameworks was made and differences between them were pointed out. Several examples of the influence of changes made in individual layers on overall device characteristics have been shown. Proper selection of models and their parameters as well as its significance on results has been illustrated. Additionally, default values of material parameters were revised and adequate values from the literature were entered. Simulated characteristics of optimized structure were compared with ones obtained from measurements of real devices (e. g., current-voltage curves). Finally, properties of crucial layers in the structure were discussed.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
578158
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych