Adjustment of Sensitivity of ISFET-Type Micro- and Nanosensors
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
89021U-1-7
Numer tomu
8902
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Słowa kluczowe
en
Field effect transistors ; Nanosensors ; Sensors ; Silicon ; Oxygen ; Plasma treatment ; HF etching ; Microsensors
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Electron Technology Conference 2013
Początek konferencji
2013-04-16
Koniec konferencji
2013-04-20
Lokalizacja konferencji
Ryn
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
en
Treść
A study of pH sensitivity of miniature ISFET-type sensors with silicon nitride sensitive layer has been presented. 4 μm wide SOI FET microsensor process and 100 nm FinFET nanosensor process have been completed with oxygen plasma treatment. ID(VDS) and gds characteristics of the devices as well as source follower circuit output signal measurements have been reported. An influence of 1% HF etching of the gate dielectric on pH sensitivity of the sensors has been described and an explanation of phenomenon of the sensitivity adjustment has been proposed.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
570134
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych