Nitrogen doped p-type ZnO films and p-n homojunction
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
EISSN
1361-6641
Wydawca
IOP PUBLISHING LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
1
Strony od-do
015001
Numer tomu
30
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
ZnO homojunction ALD I-V nitrogen
Streszczenia
Język
en
Treść
We demonstrate the ZnO homojunction fully obtained by the atomic layer deposition technique at low temperature growth of 100-130 degrees C. For the n-type partner of the junction we used undoped ZnO film obtained at 130 degrees C, while nitrogen doped ZnO acted as the p-type partner of the junction. Nitrogen was introduced into the ZnO film during the ALD process by using ammonia water as an oxygen precursor and diethylzinc as a zinc precursor. The p-type conductivity of ZnO was activated by the subsequent annealing of the ZnO: N film in an oxygen or nitrogen atmosphere. The initial rectification ratio of 102 at +/-2 V was raised to 4 . 10(4) by inserting an ultrathin Al2O3 layer between p-and n-type ZnO. The resulting rectification ratio is among the best parameters reported for a ZnO homojunction so far.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:715152
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych