Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction-Thermal admittance spectroscopy studies
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
19
Strony od-do
194504-1-6
Numer tomu
113
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
In this work, a n-ZnO/p-GaN heterojunction is analyzed using admittance spectroscopy techniques. Capacitance transient measurements performed at 10 kHz reveal four majority-carrier deep levels, the most important one located at approximately 0.57 eV below the ZnO conduction band (CB) edge with a density about two orders of magnitude below the doping level (N-T = 4 x 10(15) cm(-3)). The others, located at 0.20 eV, 0.65 eV, and 0.73 eV, are about three orders of magnitude below the doping level (N-T = 4-9 x 10(14) cm(-3)). (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:662644
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych