Temperature dependence of Bi4Ge3O12 photoluminescence spectra
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Materials Science-Poland
ISSN
2083-1331
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
1
Strony od-do
7-11
Numer tomu
32
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
BISMUTH GERMANATE RADIATION-DAMAGE BGO CRYSTALS; GAMMA-RAY DETECTOR MG
Streszczenia
Język
en
Treść
Bi4Ge3O12 single crystals were obtained using Czochralski growth method. Photoluminescence spectra were analyzed versus temperature from 12 to 295 K. Besides the previously observed emission bands at 610 and 820 nm, the new emission band at 475 nm was found by a careful temperature dependence measurement in the present study. The influence of basic and defect structure on the shape and position of the spectra versus temperature was discussed.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:676920
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych