Kinetics of anatase phase formation in TiO2 films during atomic layer deposition and post-deposition annealing
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
CRYSTENGCOMM
ISSN
1466-8033
EISSN
Wydawca
ROYAL SOC CHEMISTRY
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
46
Strony od-do
9949-9954
Numer tomu
15
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
Anatase phase formation in TiO2 films obtained by atomic layer deposition (ALD) is investigated. At growth temperature close to 200 degrees C, the anatase phase of TiO2 originates from crystalline seeds formed in an amorphous layer. These seeds, formed in the initial stages of a film growth, allow an expansion of the anatase phase in the amorphous parts and their transformation. This expansion occurs either during a further growth process or during a post-deposition annealing at relatively low temperatures (160-220 degrees C). The process of a lateral expansion of the anatase phase within the amorphous one was found to be thermally activated with an activation energy of 1.5 eV.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:662664
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych