Luminescence in ZnMnTe/ZnMgTe and CdMnTe/CdMgTe structures with different parameters of quantum wells
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SEMICONDUCTORS
ISSN
1063-7826
EISSN
1090-6479
Wydawca
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
1
Strony od-do
45-49
Numer tomu
47
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
MN2+ RECOMBINATION IONS
Streszczenia
Język
en
Treść
The low-temperature luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures with different quantum well widths and different Mn proportions is studied at optical-excitation power densities ranging from 10(4) to 10(6) W cm(-2). Because of saturation of the lowest excited state (4) T (1) of the 3d shell of Mn2+ ions, transitions to higher states start to play an important role. As a result, the intracenter luminescence of Mn2+ ions deteriorates at high excitation levels. Simultaneously, the temperature-dependent saturation of the main exciton-emission band e1hh1 of the quantum wells occurs, and the band e2hh2 emerges. As the optical excitation is increased, the intracenter luminescence band of Mn2+ ions changes its shape. This effect is attributed to the faster saturation of the excited states of interface ions. For CdMnTe/CdMgTe structures, the effect of the quantum well width and Mn content on the relation between the emission intensities corresponding to excitons in quantum wells, excitons in barriers, and the 3d shell of Mn2+ ions is established.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:683955
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych