Characteristics of ZnO:As/GaN heterojunction diodes obtained by PA-MBE
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
EISSN
1361-6463
Wydawca
IOP PUBLISHING LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
3
Strony od-do
035101
Numer tomu
46
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
LIGHT-EMITTING-DIODES ZINC-OXIDE THIN-FILMS ZNO FILMS ELECTROLUMINESCENCE HYDROGEN FABRICATION DEPOSITION
Streszczenia
Język
en
Treść
We report on the characterization of wide-band-gap heterojunction diodes based on the p-ZnO/n-GaN material system. The layer structure consists of 11 µm GaN on sapphire substrates and As-doped ZnO film of thickness 0.4 µm obtained by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The quality of the heterojunction was examined by x-ray diffraction, atomic force microscopy and scanning electron microscopy. The arsenic concentration in ZnO, measured by secondary ion mass spectroscopy (SIMS), is 5 × 1020 cm−3. The maximum forward-to-reverse current ratio IF/IR is of about 105 in the applied voltage ±3 V, a very good result for this type of heterojunction.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:689010
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych