Impedance Spectroscopy of n-CdTe/p-CdMnTe/p-GaAs Diluted Magnetic Diode
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
ISSN
0361-5235
EISSN
1543-186X
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
8
Strony od-do
2768-2772
Numer tomu
44
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Diluted magnetic diode multilayers n-CdTe/p-CdMnTe/p-GaAs impedance spectroscopy electrical properties interface state density
Streszczenia
Język
en
Treść
n-CdTe/p-CdMnTe/p-GaAs diluted magnetic diode was grown by molecular beam epitaxy technology. The forward- and reverse-bias capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V), series resistance-voltage (R (s)-V), impedance-voltage (Z-V), and phase-voltage (theta-V) characteristics of this diode have been analyzed in the frequency range of 5 kHz to 1 MHz at room temperature. Both the density of interface states (N (ss)) and series resistance (R (s)) are strongly frequency dependent and decrease with increasing frequency. The values of the built-in potential (), the doping concentration (), and the barrier height () of the diode were calculated at different frequencies. Our experimental results revealed that both the series resistance and interface state density must be taken into account in studying the impedance spectroscopy on heterojunction diodes to understand their performance for electronic and optoelectronic applications. Diluted magnetic semiconductors are promising materials for future technology.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:713476
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych