Properties of Sb2S3 and Sb2Se3 thin films obtained by pulsed laser ablation
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SEMICONDUCTORS
ISSN
1063-7826
EISSN
1090-6479
Wydawca
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
7
Strony od-do
1003-1007
Numer tomu
47
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The properties of Sb2S3 and Sb2Se3 thin films of variable thickness deposited onto Al2O3, Si, and KCl substrates are investigated by the method of pulsed laser ablation. The samples are obtained at a substrate temperature of 180A degrees C in a vacuum chamber with a residual pressure of 10(-5) Torr. The thickness of the films amounted to 40-1500 nm. The structure of the bulk material of the targets and films is investigated by the methods of X-ray diffraction and transmission high-energy electron diffraction, respectively. The electrical properties of the films are investigated in the temperature range of 253-310 K. It is shown that the films have semiconductor properties. The structural features of the films determine their optical parameters.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:683951
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych