High-resolution x-ray diffraction studies on MBE-grown p-ZnTe/n-CdTe hetrojunctions for solar cell applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
ACTA PHYSICA POLONICA A
ISSN
0587-4246
EISSN
1898-794X
Wydawca
Institute of Physics Polish Academy of Sciences
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
5
Strony od-do
1083-1086
Numer tomu
126
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
HOT-WALL EPITAXY STRAIN RELAXATION LAYERS GAAS STRESS
Streszczenia
Język
en
Treść
High-resolution X-ray diffractometer was used to study structural quality, lattice parameters and misfit strain in p-ZnTe/n-CdTe heterojunctions grown by the molecular-beam epitaxy technique on two different (001)-oriented substrates of GaAs and CdTe. The X-ray diffractometer results indicate that the CdTe layers, grown on lattice mismatched GaAs substrate, are partially relaxed, by the formation of misfit dislocations at the interface, and display residual vertical strain of the order of 10(-4). The presence of threading dislocations in the layers effectively limits the efficiency of solar energy conversion in the investigated heterojunctions. Homoepitaxially grown CdTe layers, of much better structural quality, display unexpected compressive strain in the layers and the relaxed lattice parameter larger than that of the substrate. Possible reasons for the formation of that unusual strain are discussed.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:671304
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych