Antimony-Mediated Control of Misfit Dislocations and Strain at the Highly Lattice Mismatched GaSb/GaAs Interface
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
ACS Applied Materials & Interfaces
ISSN
1944-8244
EISSN
Wydawca
AMER CHEMICAL SOC
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
19
Strony od-do
9760-9764
Numer tomu
5
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
antimonides; misfit dislocation; lomer dislocation; aberration corrected scanning transmission electron microscopy; molecular beam epitaxy; molecular dynamics simulation
Streszczenia
Język
en
Treść
Determining the atomic structure of misfit dislocations at highly lattice mismatched interface is essential to optimize the quality of the epitaxial layer. Here, with aberration corrected scanning transmission electron microscopy at sub-Angstrom resolution and molecular dynamics simulation, we investigated the atomic structure of misfit dislocations at GaSb/GaAs interface. New types of Lomer misfit dislocation formed on an Sb wetting monolayer were observed, in contrast to a conventional misfit dislocation whose core is located at interface. These Sb-mediated dislocations have highly localized cores and offer more capability to confine the mismatch strain at the interface. The low strain atomic configuration of Sb-mediated dislocations is driven by minimization of the core energy. This unveiled mechanism may pave the way to the growth of high quality hetero-epitaxial layers.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:668659
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych