On the Nature of the Mn-Related States in the Band Structure of (Ga,Mn)As Alloys via Probing the E1 and E1+D1 Optical Transitions
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
032408
Numer tomu
105
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
MAGNETIC SEMICONDUCTORS OPTICAL-PROPERTIES CRITICAL-POINTS GAAS TEMPERATURE SPECTROSCOPY FIELD DEPENDENCE GA1-XMNXAS
Streszczenia
Język
en
Treść
The dilute (Ga,Mn)As became a model ferromagnetic semiconductor, however there is still a disagreement on the source of its magnetism. In this paper, we verify the ellipsometric results and compare them with more precise photoreflectance method, which gives an important insight into the interaction of the Mn-related states with the ones of GaAs valence band. No spectral shifts observed for the E-1 and E-1 + Delta(1) interband transitions in highly doped and annealed (Ga,Mn)As epitaxial layers indicate that the coupling between a detached Mn impurity band and the valence band does not occur. Our findings are supported by the characterizations of the (Ga,Mn)As epitaxial layers with the high resolution transmission electron microscopy and magnetization measurements. (c) 2014 AIP Publishing LLC.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:579462
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych