Electrical characterization of ensemble of GaN nanowires grown by the molecular beam epitaxy technique
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
9
Strony od-do
092103
Numer tomu
103
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
SILICON NANOWIRES CAPACITANCE RESISTANCE TRANSPORT BARRIER LEVEL
Streszczenia
Język
en
Treść
High quality Schottky contacts are formed on GaN nanowires (NWs) structures grown by the molecular beam epitaxy technique on Si(111) substrate. The current-voltage characteristics show the rectification ratio of about 10(3) and the leakage current of about 10(-4) A/cm(2) at room temperature. From the capacitance-voltage measurements the free carrier concentration in GaN NWs is determined as about 10(16) cm(-3). Two deep levels (H200 and E280) are found in the structures containing GaN NWs. H200 is attributed to an extended defect located at the interface between the substrate and SiNx or near the sidewalls at the bottom of the NWs whereas E280 is tentatively assigned to a gallium-vacancy-or nitrogen interstitials-related defect.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:683469
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych