Ferromagnetism and the electronic band structure in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layers
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
7
Strony od-do
072402
Numer tomu
105
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
MAGNETIC SEMICONDUCTORS HETEROSTRUCTURES PHOTOREFLECTANCE TEMPERATURE GA1-XMNXAS; EPILAYERS GAAS
Streszczenia
Język
en
Treść
Impact of Bi incorporation into (Ga,Mn)As layers on their electronic-and band-structures as well as their magnetic and structural properties has been studied. Homogenous (Ga,Mn)(Bi,As) layers of high structural perfection have been grown by the low-temperature molecular-beam epitaxy technique. Post-growth annealing treatment of the layers results in an improvement of their structural and magnetic properties and an increase in the hole concentration in the layers. The modulation photoreflectance spectroscopy results are consistent with the valence-band model of hole-mediated ferromagnetism in the layers. This material combines the properties of (Ga,Mn)As and Ga(Bi,As) ternary compounds and offers the possibility of tuning its electrical and magnetic properties by controlling the alloy composition. (C) 2014 AIP Publishing LLC.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:672000
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych