Role of the Hafnium Dioxide Spacer in the ZnO-Based Planar Schottky Diodes Obtained by the Low-Temperature Atomic Layer Deposition Method: Investigations of Current-Voltage Characteristics
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
EISSN
Wydawca
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
2
Strony od-do
630-633
Numer tomu
62
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Schottky diode semiconductor device modeling semiconductor-insulator interfaces
Streszczenia
Język
en
Treść
This paper reports on results of modeling of current-voltage characteristics of the Ag/ZnO/TiAu planar Schottky diodes containing interfacial layer of hafnium dioxide (HfO2) with thickness ranging from 1.25 to 7.5 nm. It was found that forward characteristics can be described with thermionic emission theory. In this way, values of some relevant diodes' parameters were determined, including the ideality factor and the effective Schottky barrier height. We found a satisfactory agreement of experimental and theoretical results for most diodes, with exception of the one with a 7.5-nm thick layer. It was found that a 2.5-nm thick HfO2 spacer between ZnO and silver contact yields the highest effective Schottky barrier height (similar to 0.7 eV) accompanied by a pronounced rectification ratio (reaching 7 x 10(2) at +/-2.5 V) of the examined planar structure.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:662711
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych