n-ZnO/p-4H-SiC diode: Structural, electrical, and photoresponse characteristics
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
101105
Numer tomu
107
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
Epitaxial n-type ZnO film has been grown, on a commercial 5 lm thick p-type H-SiC(00.1) Al doped epilayer, by atomic layer deposition. A full width at half maximum of the ZnO 00.2 diffraction peak rocking curve of 0.34o02o has been measured. Diodes formed on the n-ZnO/p-4H-SiC heterostructure show rectifying behavior with a forward to reverse current ratio at the level of 109 at 64V, a eakage current density of ~6  10_8 A/cm2, and a low ideality factor equal to 1.170.04. In addition, the diodes exhibit selective photoresponse with a maximum at 367 nm, and with a current increase of ~103 under illuminations with respect to the dark value, which makes such devices prospective candidates for ultraviolet light sensors.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:681671
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych