XPS study of arsenic doped ZnO grown by Atomic Layer Deposition
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
ISSN
0925-8388
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE SA
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
594-597
Numer tomu
582
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY ZINC-OXIDE THIN-FILMS GAAS
Streszczenia
Język
en
Treść
Arsenic-doped ZnO films were formed by thermal annealing of epitaxial ZnO films grown by Atomic Layer Deposition (ALD) in arsenic atmosphere at temperature 850-950 degrees C. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) studies of the ZnO: As films revealed the complex As3d core level spectra formed by three components located at about 41 eV, 45 eV and 47.5 eV below the Fermi level. The As3d component at binding energy (BE) of 45 eV was found to be correlated with the acceptor bound A degrees X exciton state observed in low temperature photoluminescence. This observation strongly supports the previously postulated assumption that the origin of the 45 eV component of the As3d spectra can be ascribed to arsenic atoms in As-Zn-2V(Zn) complexes formed as a result of high temperature annealing. This assumption is also supported by the evident valence band shift towards the Fermi level in the ZnO: As film annealed at 950 degrees C. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:675043
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych