Homogeneous limit of Cd1-xMnxGeAs2 alloy: Electrical and magnetic properties
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
13
Strony od-do
133917-1-6
Numer tomu
115
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
SEMICONDUCTORS EXCHANGE SUSCEPTIBILITY FERROMAGNETISM CRYSTALS REGIME IONS MN
Streszczenia
Język
en
Treść
We present the studies of structural, electrical, and magnetic properties of bulk Cd1-xMnxGeAs2 crystals with low Mn content, x, varying from 0 to 0.037. The studied samples have excellent crystallographic quality indicated by the presence of diffraction patterns never before observed experimentally for this compound. The electrical transport in our samples is dominated by thermal activation of conducting holes from the impurity states to the valence band with activation energy of about 200 meV. The defect states acting as ionic scattering centers with concentration in the range from 6 to 15 x 10(17) cm(-3) are observed. The effective Mn content in our samples, (x) over bar (theta), determined from fit of the susceptibility data to the Curie-Weiss law, is very close to the average chemical content, x. It indicates that the Mn ions are distributed randomly, substituting the Cd sites in the host CdGeAs2 lattice. We observe a negative Curie-Weiss temperature, vertical bar theta vertical bar <= 3.1 K, increasing as a function of x. This indicates the significance of the short-range interactions between the Mn ions.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:675163
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych