Atomic layer deposition of Zn1-xMgxO:Al transparent conducting films
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
ISSN
0022-2461
EISSN
1573-4803
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
4
Strony od-do
1512-1518
Numer tomu
49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
LIGHT-EMITTING DEVICES RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY PULSED-LASER DEPOSITION OXIDE THIN-FILMS ZINC-OXIDE
Streszczenia
Język
en
Treść
Aluminum-doped zinc magnesium oxide (Zn1-xMgxO:Al) films with the Mg content from x = 0 to 0.48 were obtained using atomic layer deposition (ALD). Together with the thorough studies of the properties of the deposited films, the ALD growth parameters conditioning possible applications of Zn1-xMgxO: Al films as transparent electrodes are investigated. Very low film resistivities (<= similar to 10(-3) Omega cm) and the metallic-type conductivity behavior at room temperature for Zn1-xMgxO: Al films are observed for Mg content x < 0.19. The Mg content of x = 0.19 results in the optical absorption edge of Zn1-xMgxO: Al films at 3.81 eV (325 nm). Other film parameters like work function or sheet resistance can be easily modified by variation of growth parameters.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:662730
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych