Electrical and mechanical stability of aluminum-doped ZnO films grown on flexible substrates by atomic layer deposition
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials
ISSN
0921-5107
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
15-20
Numer tomu
186
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Zinc oxide Flexible electronics Atomic layer deposition
Streszczenia
Język
en
Treść
Aluminum-doped zinc oxide (AZO) films were grown on polyethylene terephthalate (PET) substrates by atomic layer deposition (ALD) at low deposition temperatures (110-140 degrees C). The films have low resistivities, similar to 10(-3) Omega cm, and high transparency (similar to 90\%) in the visible range. Bending tests indicated a critical bending radius of approximate to 1.2cm, below which the resistivity changes became irreversible. The films deposited on PET with additional buffer layer are more stable upon bending and temperature changes. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:662670
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych