Magnetic and magneto-transport characterization of (Ga,Mn)(Bi, As) epitaxial layers
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
ACTA PHYSICA POLONICA A
ISSN
0587-4246
EISSN
1898-794X
Wydawca
Institute of Physics Polish Academy of Sciences
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
5
Strony od-do
1121-1124
Numer tomu
126
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
SPINTRONIC APPLICATIONS NANOSTRUCTURES
Streszczenia
Język
en
Treść
High-quality layers of the (Ga,Mn)(Bi,As) quaternary compound semiconductor have been grown by the low-temperature molecular-beam epitaxy technique. An effect of Si incorporation into the (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor and the post-growth annealing treatment of the layers have been investigated through examination of their magnetic and magneto-transport properties. Significant enhancement of the planar Hall effect magnitude upon addition of Si into the layers is interpreted as a result of increased spin orbit coupling in the (Ga,Mn)(Bi,As) layers.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:671097
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych