Point defects and p-type conductivity in Zn1-xMnxGeAs2
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
2
Strony od-do
023501-1-7
Numer tomu
116
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
MAGNETIC SEMICONDUCTORS POSITRON-ANNIHILATION ELECTRICAL-PROPERTIES; NGEAS2
Streszczenia
Język
en
Treść
Positron annihilation spectroscopy is used to study point defects in Zn1-xMnxGeAs2 crystals with low Mn content 0 <= x <= 0: 042 with disordered zincblende and chalcopyrite structure. The role of negatively charged vacancies and non-open-volume defects is discussed with respect to the high p-type conductivity with carrier concentration 10(19) <= p <= 10(21) cm(-3) in our samples. Neutral As vacancies, together with negatively charged Zn vacancies and non-open-volume defects with concentrations around 10(16) - 10(18) cm(-3), are observed to increase with increasing Mn content in the alloy. The observed concentrations of defects are not sufficient to be responsible for the strong p-type conductivity of our crystals. Therefore, we suggest that other types of defects, such as extended defects, have a strong influence on the conductivity of Zn1-xMnxGeAs2 crystals.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:675298
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych