Raman Spectra of High-k Dielectric Layers Investigated with Micro-Raman Spectroscopy Comparison with Silicon Dioxide
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
The Scientific World Journal
ISSN
2356-6140
EISSN
Wydawca
Cairo ; New York : Hindawi Publishing
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
ID 208081-1-6
Numer tomu
2013
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,35
Streszczenia
Język
en
Treść
Three samples with dielectric layers from high-κ dielectrics, hafnium oxide, gadolinium-silicon oxide, and lanthanum-lutetium oxide on silicon substrate were studied by Raman spectroscopy. The results obtained for high-κ dielectrics were compared with spectra recorded for silicon dioxide. Raman spectra suggest the similarity of gadolinium-silicon oxide and lanthanum-lutetium oxide to the bulk nondensified silicon dioxide. The temperature treatment of hafnium oxide shows the evolution of the structure of this material. Raman spectra recorded for as-deposited hafnium oxide are similar to the results obtained for silicon dioxide layer. After thermal treatment especially at higher temperatures (600°C and above), the structure of hafnium oxide becomes similar to the bulk non-densified silicon dioxide.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:569571
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych