Band-structure analysis from photoreflectance spectroscopy in (Ga,Mn)As
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
AIP CONFERENCE PROCEEDINGS
ISSN
0094-243X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
343-344
Numer tomu
1566
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,11
Słowa kluczowe
en
ferromagnetic semiconductors band structure photoreflectance spectroscopy Franz-Keldysh oscillations
Streszczenia
Język
en
Treść
Modulation photoreflectance spectroscopy has been applied to study the band-structure evolution in (Ga,Mn)As epitaxial layers with increasing Mn content. Structural and magnetic properties of the layers were characterized with high-resolution X-ray diffractometry and SQUID magnetometery, respectively. The revealed results of decrease in the band-gap-transition energy in the (Ga,Mn)As layers with increasing Mn content are interpreted in terms of a disordered valence band, extended within the band gap, formed, in highly Mn-doped (Ga,Mn)As, as a result of merging the Mn-related impurity band with the host GaAs valence band.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:710998
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych