Influence of Nitrogen Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
MATERIALS SCIENCE FORUM
ISSN
0255-5476
EISSN
Wydawca
Trans Tech Publications, Switzerland
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
733-736
Numer tomu
740-742
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 8
Słowa kluczowe
en
silicon carbide, thermal oxidation, ion implantation, ion implantation damage
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012)
Początek konferencji
2012-09-02
Koniec konferencji
2012-09-06
Lokalizacja konferencji
St. Petersburg
Kraj konferencji
RU
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
An influence of nitrogen implantation dose on the properties of MOS structure is analyzed. The properties are investigated using C-V, I-V measurements, Raman spectroscopy, and XPS profiling. It has been shown that the trap density is directly related to implantation damage and conditions.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
568856
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych