Influence of Phosphorus Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
MATERIALS SCIENCE FORUM
ISSN
0255-5476
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
496-499
Numer tomu
821-823
Link do pełnego tekstu
Liczba arkuszy
0,47
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Pozostali autorzy
+ 10
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
ECSCRM
Nazwa konferencji
Silicon Carbide and Related Materials 2014
Początek konferencji
2014-09-21
Koniec konferencji
2014-09-25
Lokalizacja konferencji
Grenoble
Kraj konferencji
FR
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
600779
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych