Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn semiconductor heavily Lu-doped
PBN-AR
Instytucja
Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych im. Włodzimierza Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SEMICONDUCTORS
ISSN
1063-7826
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
3
Strony od-do
290–297
Numer tomu
49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Pozostali autorzy
+ 6
Inne
System-identifier
ICIL2038341
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych