Technology of Silicon Charged-Particle Detectors Developed at the Institute of Electron Technology (ITE)
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
89021I-1-7
Numer tomu
8902
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,59
Słowa kluczowe
en
Silicon PIN diode; silicon detector; strip detector
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Electron Technology Conference 2013
Początek konferencji
2013-04-16
Koniec konferencji
2013-04-20
Lokalizacja konferencji
Ryn
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The paper discusses the technology of silicon charged-particle detectors developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The developed technology enables the fabrication of both planar and epiplanar p(+)-nu-n(+) detector structures with an active area of up to 50 cm(2). The starting material for epiplanar structures are silicon wafers with a high-resistivity n-type epitaxial layer (v layer - rho > 3 k. cm) deposited on a highly doped n(+)-type substrate (rho < 0,02. Omega cm) developed and fabricated at the Institute of Electronic Materials Technology. Active layer thickness of the epiplanar detectors (v layer) may range from 10 mu m to 150 mu m. Imported silicon with min. 5 k Omega cm resistivity is used to fabricate planar detectors. Active layer thickness of the planar detectors (nu) layer) may range from 200. m to 1 mm. This technology enables the fabrication of both discrete and multi-junction detectors (monolithic detector arrays), such as single-sided strip detectors (epiplanar and planar) and double-sided strip detectors (planar). Examples of process diagrams for fabrication of the epiplanar and planar detectors are presented in the paper, and selected technological processes are discussed.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
569942