Scanning probe microscopy investigations of the electrical properties of chemical vapor deposited graphene grown on a 6H-SiC substrate
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
MICRON
ISSN
0968-4328
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
17-22
Numer tomu
vol. 68
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
pol
grafen
STM
C-AFM
KPFM
Streszczenia
Język
eng
Treść
Sublimated graphene grown on SiC is an attractive material for scientific investigations. Nevertheless the self limiting process on the Si face and its sensitivity to the surface quality of the SiC substrates may be unfavourable for later microelectronic processes. On the other hand, chemical vapor deposited (CVD) graphene does not posses such disadvantages, so further experimental investigation is needed. In this paper CVD grown graphene on 6H-SiC (0 0 0 1) substrate was investigated using scanning probe microscopy (SPM). Electrical properties of graphene were characterized with the use of: scanning tunnelling microscopy, conductive atomic force microscopy (C-AFM) with locally performed C-AFM current–voltage measurements and Kelvin probe force microscopy (KPFM). Based on the contact potential difference data from the KPFM measurements, the work function of graphene was estimated. We observed conductance variations not only on structural edges, existing surface corrugations or accidental bilayers, but also on a flat graphene surface.
Inne
System-identifier
000194426
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych