Correlation of selected problems during GaN MOVPE epitaxy on Si substrates with in-situ interferometer observation
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Journal of Electrical Engineering-Elektrotechnicky Casopis
ISSN
1335-3632
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
nr 5
Strony od-do
294-298
Numer tomu
vol. 65
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
azotek galu
GaN na Si
bufor GaN
pomiary in situ
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Creative Commons — Uznanie autorstwa-Niekomercyjne-Bez utworów zależnych
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Inne
System-identifier
000195279
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych