Atomic force microscopy of partially polished and epi-ready c-plane GaN substrates obtained by an ammonothermal method
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
Applied Physics Express
ISSN
1882-0778
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
nr 5, art. 055504
Strony od-do
1-4
Numer tomu
vol. 7
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
pol
AFM
GaN
polerowanie kryształów
dyfrakcja rentgenowska
Streszczenia
Język
eng
Treść
In this paper, the propagation of scratches on the surfaces of c-plane GaN substrates due to slicing and polishing is studied through atomic force microscopy (AFM). For epi-ready substrates, the AFM images confirm a flat surface with atomic step roughness, while for partially polished GaN substrates, many scratches are visible in the AFM images. A Fourier analysis of the AFM images shows that the scratches propagate more easily along the {m-plane} and {a-plane} directions on a c-plane GaN surface. Most of these scratches are generated by the mechanical slicing of GaN crystals and/or non-optimal polishing conditions. A proper chemomechanical polishing process is able to remove the damaged material and obtain a flat surface with atomic step roughness. This observation is evidence for the anisotropy of mechanical properties of GaN crystals in the microscale range.
Inne
System-identifier
000193568
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych