Investigation of thermal effects in through-silicon vias using scanning thermal microscopy
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
MICRON
ISSN
0968-4328
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
63-68
Numer tomu
vol. 66
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
pol
mikrokołki miedziane (TSV)
skaningowa mikroskopia termiczna
rezystancja cieplna
Streszczenia
Język
eng
Treść
Results of quantitative investigations of copper through-silicon vias (TSVs) are presented. The experiments were performed using scanning thermal microscopy (SThM), enabling highly localized imaging of thermal contrast between the copper TSVs and the surrounding material. Both dc and ac active-mode SThM was used and differences between these variants are shown. SThM investigations of TSVs may provide information on copper quality in TSV, as well as may lead to quantitative investigation of thermal boundaries in micro- and nanoelectronic structures. A proposal for heat flow analysis in a TSV, which includes the influence of the boundary region between the TSV and the silicon substrate, is presented; estimation of contact resistance and boundary thermal conductance is also given.
Inne
System-identifier
000193562
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych