Atomic layer deposition of Zn1-x MgxO:Al transparent conducting films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Podstawowych Problemów Techniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
ISSN
0022-2461
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
nr 4
Strony od-do
1512-1518
Numer tomu
vol. 49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Pozostali autorzy
+ 10
Słowa kluczowe
pol
ZnO
metoda ALD
transparentne warstwy przewodzące
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
eng
Treść
Aluminum-doped zinc magnesium oxide (Zn1-x Mg x O:Al) films with the Mg content from x = 0 to 0.48 were obtained using atomic layer deposition (ALD). Together with the thorough studies of the properties of the deposited films, the ALD growth parameters conditioning possible applications of Zn1-x Mg x O:Al films as transparent electrodes are investigated. Very low film resistivities (?~10-3 ? cm) and the metallic-type conductivity behavior at room temperature for Zn1-x Mg x O:Al films are observed for Mg content x < 0.19. The Mg content of x = 0.19 results in the optical absorption edge of Zn1-x Mg x O:Al films at 3.81 eV (325 nm). Other film parameters like work function or sheet resistance can be easily modified by variation of growth parameters.
Inne
System-identifier
000190688
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych