Enhanced catalyst-free nucleation of GaN nanowires on amorphous Al2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
4
Strony od-do
043517-1-5
Numer tomu
115
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
GROWTH AL2O3(0001)
Streszczenia
Język
en
Treść
We report on plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of GaN nanowires (NWs) on Si(111) substrates with a thin amorphous Al2O3 buffer layer deposited by atomic layer deposition. Comparison of nucleation kinetics shows that presence of amorphous Al2O3 buffer significantly enhances spontaneous nucleation of GaN NWs. Slower nucleation was observed on partially amorphous silicon nitride films. No growth of NWs was found on sapphire substrate under the same growth conditions which we explain by a low density of defects on monocrystalline substrate surface where NWs may nucleate. Our finding shows that tuning of substrate microstructure is an efficient tool to control rate of self-induced nucleation of GaN NWs.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:675633
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych