Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL A
ISSN
1434-6001
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
1-6
Numer tomu
51
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
PL
detektor krzemowy
warstwa epitaksjalna
implantacja jonów
Cechy publikacji
original-article
Inne
System-identifier
0000046056
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych