Dielectric relaxation in pure and Co-doped Bi12GeO20 single crystals
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Advanced Dielectrics
ISSN
2010-135X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
3
Strony od-do
1550023-1-5
Numer tomu
5
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Autorzy
(liczba autorów: 6)
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
PL
własności dielektryczne
Bi12GeO20
BGO
Co:Bi12GeO20
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Creative Commons — Uznanie autorstwa
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Po publikacji
Ilość miesięcy od publikacji
Data udostępnienia w sposób otwarty
Cechy publikacji
original-article
Inne
System-identifier
0000046646
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych