Influence of Domain Replication on Magnetoresistance of Co/Au/Co Film With Perpendicular Anisotropy and Antiferromagnetic Coupling
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS
ISSN
0018-9464
EISSN
Wydawca
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
11
Strony od-do
art. 4400804
Numer tomu
50
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The magnetoresistance effect and evolution of the magnetic domain structure were investigated in Co/Au/Co spin-valve structures characterized by perpendicular anisotropy and weak antiferromagnetic coupling. The magnetoresistive minor loops taken with a partially reversed magnetically harder layer show three resistance levels. Two of them correspond to a single-domain state of the magnetically soft layer, and the third one corresponds to duplicated domains with an antiparallel magnetization configuration. The first stage of the reversal process from the single-domain state to the multidomain state is controlled by the nucleation of domains, and the second stage is mainly controlled by domain-wall propagation.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
608395
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych