Buffer influence on magnetic dead layer, critical current, and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
22
Strony od-do
art. 223908
Numer tomu
117
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 14)
Pozostali autorzy
+ 12
Streszczenia
Język
en
Treść
We present a detailed study of Ta/Ru-based buffers and their influence on features crucial from the point of view of applications of Magnetic Tunnel Junctions (MTJs) such as critical switching current and thermal stability. We study buffer/FeCoB/MgO/Ta/Ru and buffer/MgO/FeCoB/Ta/Ru layers, investigating the crystallographic texture, the roughness of the buffers, the magnetic domain pattern, the magnetic dead layer thickness, and the perpendicular magnetic anisotropy fields for each sample. Additionally, we examine the effect of the current induced magnetization switching for complete nanopillar MTJs with lateral dimensions of 270 x 180 nm. Buffer Ta 5/Ru 10/Ta 3 (thicknesses in nm), which has the thickest dead layer, exhibits a much larger thermal stability factor (63 compared to 32.5) while featuring a slightly lower critical current density value (1.25 MA/cm(2) compared to 1.5 MA/cm(2)) than the buffer with the thinnest dead layer Ta 5/Ru 20/Ta 5. We can account for these results by considering the difference in damping which compensates for the difference in the switching barrier heights. (C) 2015 AIP Publishing LLC.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
627501
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych