Ammonothermal growth of GaN crystals on HVPE-GaN seeds prepared with the use of ammonothermal substrates
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
1873-5002
Wydawca
Elsevier Ltd.
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
1-6
Numer tomu
427
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,70
Słowa kluczowe
en
Ammonothermal
Hydride vapor phase epitaxy
Growth from solution
Gallium nitride
Streszczenia
Język
en
Treść
Results of gallium nitride crystallization by ammonothermal method are presented. GaN crystals grown earlier by a HVPE method on an ammonothermal GaN substrate and an MOCVD-GaN/sapphire template were used as seeds. Structural and optical properties of the obtained materials are studied and compared. Large radius of curvature (>100 m) and low dislocation density (7×104 cm−2) can be reproduced in the ammonothermal method using an HVPE-GaN seed grown before on ammonothermal GaN. This proves that the use of HVPE-GaN grown on ammonothermal seeds allows to reproduce high crystallinity in a subsequent ammonothermal growth. It also demonstrates that a much more effective multiplication process of high quality GaN can be launched using a combination of the ammonothermal and HVPE methods.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Inżynieria materiałowa
discipline:Physics
discipline:Materials science
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:642911
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych