Adsorption of Hydrogen at GaN(0001) Surface – Ab Initio Study
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Physical Chemistry C
ISSN
1932-7447
EISSN
1932-7455
Wydawca
AMER CHEMICAL SOC
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
21
Strony od-do
11563-11569
Numer tomu
119
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
Ab initio calculations are used to determine the basic physical properties of hydrogen adsorption at the N-terminated GaN(0001̅) surface. It was shown that the Fermi level is pinned at the valence band maximum (VBM) for hydrogen coverage θH = 0.75 ML above which the Fermi level is shifted to the conduction band minimum (CBM). Application of the electron counting rule (ECR) indicates that for θH = 0.75 ML, the Fermi level is not pinned, located in the bandgap. Ab initio calculations confirmed that hydrogen adsorption energy depends on the Fermi level at the surface as predicted and explained earlier (Krukowski et al. J. Appl. Phys. 2013, 114, 143705 and Krukowski et al. J. Appl. Phys. 2013, 115, 043529). The adsorption energy contains electron transfer contribution, below θH = 0.75 ML to VBM and above that coverage to CBM; thus it is ΔEads(H) ≅ 5.8 eV and ΔEads(H) ≅ 3.1 eV for a single H atom for these coverage ranges, respectively. Accordingly, the H2 equilibrium pressure at the GaN(0001̅) surface varies from very low for θH < 0.75 ML, about 10–20 bar, to a fraction of a bar for θH > 0.75 ML.
Cechy publikacji
discipline:Elektronika
discipline:Fizyka
discipline:Inżynieria materiałowa
discipline:Electronics
discipline:Physics
discipline:Materials science
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:699275
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych