High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
1873-5002
Wydawca
Elsevier Ltd.
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
398-400
Numer tomu
425
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,4
Słowa kluczowe
en
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Laser diodes
Streszczenia
Język
en
Treść
The influence of waveguide design on performance of nitride based laser diodes (LDs) grown by plasma assisted molecular beam epitaxy is studied. A large improvement in threshold current density and slope efficiency of LDs is observed when an InGaN interlayer with 8% In content is introduced between multi-quantum-well region and electron blocking layer. This dependence is attributed to reduction of internal losses due to lower optical mode overlap with highly absorptive Mg-doped layers. This led to demonstration of blue LD operating at lambda=450 nm with high optical power of 500 mW per facet. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:715283
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych