Electrical and structural properties of Ti/Al-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different quality
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Physica Status Solidi A
ISSN
1862-6300
EISSN
1862-6319
Wydawca
WILEY-VCH
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
5
Strony od-do
1091-1098
Numer tomu
212
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,70
Słowa kluczowe
en
AlGaN
GaN
ohmic contacts
titanium
aluminimum
defects
Streszczenia
Język
en
Treść
In this work, the electrical and structural properties of Ti/Al contacts on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality were investigated. In particular, the sample with a lower defects density required a higher temperature (800 °C) to obtain Ohmic contacts, while the more defective sample showed Ohmic behaviour at lower annealing temperature (500 °C). The susceptibility to oxidation of the metal stack upon annealing has been monitored by chemical analyses. Moreover, the temperature dependence of the contact resistance of the Ti/Al annealed contacts revealed that the interface current transport mechanism depends on the material quality. These results were attributed to the presence of V-shaped defect close to the surface of the AlGaN barrier layer. A nanoscale electrical analysis demonstrated a preferential current conduction through these defects, which indeed plays a relevant role for the formation of the Ohmic contact.
Cechy publikacji
discipline:Elektronika
discipline:Fizyka
discipline:Electronics
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:752109
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych