Advances in single mode and high power AlGaInN laser diode technology for systems applications
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Proceedings of SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
93631A
Numer tomu
9363
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Indium gallium aluminum nitride
Semiconductor lasers
Telecommunications
Lasers
Quantum wells
Defense and security
Displays
Indium
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices X
Początek konferencji
2015-02-09
Koniec konferencji
2015-02-12
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., ~380nm, to the visible ~530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. Thus AlGaInN laser diode technology is a key enabler for the development of new disruptive system level applications in displays, telecom, defence and other industries.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:760899
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych